Stamos S-PLASMA 85CNC handleiding

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Handleiding

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Rev. 04.04.2022 Rev. 04.04.2022
Anschlussschema S-Plasma 55H
Stromkabel
Druckminderer
an Kompressor
Luftkompressor
Gehäuseabsicherung
Massekabel
Werkstück
Plasmabrenner
DE
S-PLASMA 55 H
NORMALSTROM: Das Gerät arbeitet mit einem
1-Phasenanschluss (230V +/- 10%).
1 PH
Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode
(english Insulated Gate Bipolar Transistor, kurz IGBT)
ist ein Halbleiterbauelement, das zunehmend in der
Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des
Bipolartransistors (z.B. gutes Durchlassverhalten, hohe
Sperrspannung, Robustheit beim Schweißgeräten) und Vorteile
eines Feldeffekttransistors (nahezu leistungslose Ansteuerung)
vereinigt. Vorteilhaft ist auch eine gewisse Robustheit
gegenüber Kurzschlüssen, da der IGBT den Laststrom
begrenzt. IGBTs sind eine Weiterentwicklung des vertikalen
Leistungs-MOSFETs.
IGbT
4
1
11
567
32
0
9 8
VORDERANSICHT
RÜCKANSICHT
DE

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Productinformatie

MerkStamos
ModelS-PLASMA 85CNC
CategorieNiet gecategoriseerd
TaalNederlands
Grootte25357 MB